韩国Hynix（海力士）原来是现代（Hyundai）公司所属的一个内存生产厂，当时生产的内存颗粒编号都是以“HY”为前缀的。后来Hynix成了一个独立的内存生产厂，其颗粒编号也改为以“H”为前缀了。因此，一般把以“HY”为前缀的内存颗粒称为“现代”内存；而把以“H”为前缀的颗粒成为“海力士”内存。其实都是Hynix的产品。

以“HY5”为前缀的内存颗粒都是比较早期的内存，在计算机用的内存中，DDR2和DDR3内存没有再使用“HY”为前缀为编号。但是，在Consumer Memory(用于电视机机顶盒或摄像机等用的内存)中，仍然继续使用了一段时间。2007年决定所有海力士内存的前缀都用“H”代换“HY”。现在举例说明以“HY5”为前缀的内存的命名方法，见下表所示（根据厂家网站资料，按我的理解归类的）。

以“HY5”为前缀的海力士内存颗粒的编号规律

含义 类型 电压 密度 位宽 BANK 接口 版本 功耗 封装 - 速度 温度
SDRAM HY57 V 56 8 2 0 F TP - 10s
SDRAM HY57 V 65 16 2 0 A TC - 75
DDR1 HY5D U 56 8 2 2 D TP - D43
DDR1 HY5D U 12 4 2 2 B L T - M

注；其中的速度，对SDRAM来说：5:5ns(200MHz)；6: 6ns(166MHz)；75: 7.5ns(133MHz)；

K: PC133, CL2；H: PC133, CL3；P: PC100, CL2；S: PC100, CL3；10: 10ns(100MHz)；

15: 15ns(66MHz)。

对DDR来说：有过变动，“D4”代表DDR400，时序为3-4-4；“D43”代表DDR400，时序为3-3-3；“J”代表DDR333；“M”、“K”和“H”都代表DDR266，只是时序不同；“L”代表DDR200；“4”代表250MHz；“5”代表200MHz。

其他项的解释：

类型：“HY”现代的意思；“5”和“57”都代表SDRAM内存；“5D”代表DDR1内存；

电压：是指处理工艺和供电电压（PROCESS & POWER SUPPLY）：对SDRAM和DDR1：

空白是5V;“V”代表CMOS,3.3V；“U”代表CMOS,2.5V；

密度：是指颗粒密度和刷新速度（DENSITY & REFRESH）：

对SDRAM来说，“64”和“65”都是64Mb;“26”和“28”都是128Mb；“56”和“52”都是256Mb。

对DDR1来说，“28”是128Mb；“56”是256Mb;“12”是512Mb 。

根据密度和模组颗粒数就可以知道模组的容量。例如，密度标以“12”时，如果有8个颗粒，模组容量就是512MB；如果有16个颗粒，容量就是1GB。

位宽：是指颗粒的位宽（datawidth）：

“4”代表“×4”；“8”代表“×8”;“16”代表“×16”；“32”代表“×32”。

BANK：是指每个颗粒的逻辑BANK数。“1”代表2BANK；“2”代表4BANK；“3”代表8BANK。

接口：是指颗粒的电气接口（Interface）。“0”代表LVTTL;“1”代表SSTL;“2”代表SSTL_2；

版本：是指颗粒出厂的版本。空白代表第1版；二版后依次用A、B、C、D等表示；

功耗：是指功率消耗（Power consumption）。空白表示正常耗电；“L”表示低功耗；

封装：芯片发封装方法（Package）。TC：400mil TSOPII；JQ:100Pin-TQFP；

速度；速度（speed）是指颗粒的频率，说明见表注。

温度：温度（Temperature），“I”是工业温度；“E”是扩展温度。但是，在编号中经常没有这一项。