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现代(海力士)缓存标注含义(转)
发布者:admin 发布时间:2014/6/29 15:29:09 阅读:2036

韩国Hynix海力士)原来是现代(Hyundai)公司所属的一个内存生产厂,当时生产的内存颗粒编号都是以“HY”为前缀的。后来Hynix成了一个独立的内存生产厂,其颗粒编号也改为以“H”为前缀了。因此,一般把以“HY”为前缀的内存颗粒称为现代内存;而把以“H”为前缀的颗粒成为海力士内存。其实都是Hynix的产品。

“HY5”为前缀的内存颗粒都是比较早期的内存,在计算机用的内存中,DDR2DDR3内存没有再使用“HY”为前缀为编号。但是,在Consumer Memory(用于电视机机顶盒或摄像机等用的内存)中,仍然继续使用了一段时间。2007年决定所有海力士内存的前缀都用“H”代换“HY”。现在举例说明以“HY5”为前缀的内存的命名方法,见下表所示(根据厂家网站资料,按我的理解归类的)。

“HY5”为前缀的海力士内存颗粒的编号规律

含义 类型 电压 密度 位宽 BANK 接口 版本 功耗 封装 - 速度 温度
SDRAM HY57 V 56 8 2 0 F TP - 10s
SDRAM HY57 V 65 16 2 0 A TC - 75
DDR1 HY5D U 56 8 2 2 D TP - D43
DDR1 HY5D U 12 4 2 2 B L T - M

注;其中的速度,对SDRAM来说:5:5ns(200MHz)6: 6ns(166MHz)75: 7.5ns(133MHz)

K: PC133, CL2
H: PC133, CL3P: PC100, CL2S: PC100, CL310: 10ns(100MHz)

15: 15ns(66MHz)


DDR来说:有过变动,“D4”代表DDR400时序3-4-4“D43”代表DDR400时序3-3-3“J”代表DDR333“M”“K”“H”都代表DDR266,只是时序不同;“L”代表DDR200“4”代表250MHz“5”代表200MHz

其他项的解释:

类型:“HY”现代的意思;“5”“57”都代表SDRAM内存“5D”代表DDR1内存;

电压:是指处理工艺和供电电压(PROCESS & POWER SUPPLY):对SDRAMDDR1

空白是5V;“V”代表CMOS,3.3V“U”代表CMOS,2.5V

密度:是指颗粒密度和刷新速度(DENSITY & REFRESH):

SDRAM来说,“64”“65”都是64Mb;“26”“28”都是128Mb“56”“52”都是256Mb

DDR1来说,“28”128Mb“56”256Mb;“12”512Mb

根据密度和模组颗粒数就可以知道模组的容量。例如,密度标以“12”时,如果有8个颗粒,模组容量就是512MB;如果有16个颗粒,容量就是1GB

位宽:是指颗粒的位宽(datawidth):

“4”
代表“×4”“8”代表“×8”;“16”代表“×16”“32”代表“×32”

BANK
:是指每个颗粒的逻辑BANK数。“1”代表2BANK“2”代表4BANK“3”代表8BANK

接口:是指颗粒的电气接口(Interface)。“0”代表LVTTL;“1”代表SSTL;“2”代表SSTL_2

版本:是指颗粒出厂的版本。空白代表第1版;二版后依次用ABCD等表示;

功耗:是指功率消耗(Power consumption)。空白表示正常耗电;“L”表示低功耗;

封装:芯片发封装方法(Package)。TC400mil TSOPIIJQ:100Pin-TQFP

速度;速度(speed)是指颗粒的频率,说明见表注。

温度:温度(Temperature),“I”是工业温度;“E”是扩展温度。但是,在编号中经常没有这一项。

 
 

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